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多画面全彩LED拼接图像处理器,单机多同时可支持16张不同分辨率的发射卡,单机高可以支持30720*1080 LED点阵。多台机器级联可以实现无限幅度的LED点阵实时动态显示。 可以任意配置发射卡进行LED点阵堆砌,可以自由选择灰度级数。可以任意设置单个LED发射卡的输出内容点阵。
超大场景显示 显示条件:多张发射卡支持的任意幅度超宽、超大LED显示屏; 信号情况:多路DVI或者RGB、VGA、视频信号、HDSDI信号(选配)。 实现功能:选择其中一路在超大分辨率LED屏体上显示。根据用户的需求,可以采用不同的显示模式,具体为: A.满屏模式 输入的信号通过 LED图像拼接处理器,在整个LED屏体上满屏显示。 如果LED拼接的显示比例与输入信号的比例不一致时,画面将出现自动拉伸或者压缩等变形。该模式往往应用于背景影像内容的显示; B.等比模式 输入的信号通过 LED图像拼接处理器时,根据输入信号的比例格式,等比例在整个LED屏体上。画面等比显示时, LED屏体的上下或者左右会因为没有内容显示而曾现黑色。该模式往往应用于人像显示或者领导讲话的场景内容。 C.全屏等比模式 输入的信号通过LED图像拼接处理器时,根据输入信号的比例以及屏体的显示点阵分布情况,将输入的内容采用像素抓取技术,截取与LED屏体比例一致的显示,在整个LED屏体上放大显示。该模式应用于对现场情景需要展现的内容;
LED显示屏其每秒内容可重复显示的次数被称之为刷新频率,当刷新频率较低时,会出显图像闪烁,尤其是在视频拍摄的过程中闪烁过于明显,因此要大限度的提升刷新频率,显示画面的稳定性。
50年前人们已经了解半导体材料可产生光线的基本知识,个商用二极管产生于1960年。LED是英文LightEmittingDiode(发光二极管)的缩写,它的基本结构是一块电致发光的半导体材料,置于一个有引线的架子上,然后四周用环氧树脂密封,起到保护内部芯线的作用,所以LED的抗震性能好。
早应用半导体P-N结发光原理制成的LED光源问世于20世纪60年代初。当时所用的材料是GaAsP,发红光(λp=650nm),在驱动电流为20 毫安时,光通量只有千分之几个流明,相应的发光效率约0.1流明/瓦。 70年代中期,引入元素In和N,使LED产生绿光(λp=555nm),黄光(λp=590nm)和橙光(λp=610nm),光效也提高到1流明/瓦。
90年代初,发红光、黄光的GaAlInP和发绿、蓝光的GaInN两种新材料的开发成功,使LED的光效得到大幅度的提高。在2000年,前者做成的LED在红、橙区(λp=615nm)的光效达到100流明/瓦,而后者制成的LED在绿色区域(λp=530nm)的光效可以达到50流明/瓦。
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